MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理，激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測量?jì)x器，廣泛應用在先進(jìn)制造領(lǐng)域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發(fā)的高度集成化的激光傳感平臺，以工業(yè)應用中最重要的線(xiàn)型標定為核心,將干涉儀的參考光路內置于干涉儀中，將光學(xué)相干光路等集成在單個(gè)光電芯片上，一步實(shí)現激光干涉儀的線(xiàn)型測長(cháng)和標定功能，從而簡(jiǎn)化了干涉儀系統測試時(shí)的復雜程度。

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導體典型應用

●超高精度位置跟蹤應用

在光刻過(guò)程中,分辨率是反映光刻機理論上可識別的最小特征尺寸的重要指標,也決定著(zhù)運動(dòng)系統的控制精度。由于整個(gè)曝光過(guò)程中要求系統以恒定的速度運行,對速度的均勻性要求較高,因此對控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無(wú)掩模掃描式光刻系統的控制要滿(mǎn)足納米級精度, 工件臺自身的控制也要求達到該數量級，并且工件臺控制系統的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預防反復曝光芯片刻蝕過(guò)程中,發(fā)生偏離導致電路圖案扭曲影響芯片性能。

l  平面檢測

在光刻測量過(guò)程中,硅片在高速運動(dòng)情況下,容易發(fā)生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優(yōu)化硅片平臺的操作模式,需要一種納米級超高精度、無(wú)接觸的形變量測量方式。